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成都G-43E4型高精密单面光刻机

设备概述: 本设备是我公司根据市场需求研发的产品,其突出的特点是曝光面积大,通常情况下为Φ4",对被光刻基片的外形、厚度…

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设备概述:

 本设备是我公司根据市场需求研发的产品,其突出的特点是曝光面积大,通常情况下为Φ4",对被光刻基片的外形、厚度要求较低,可对多种材料的基片进行光刻,它特别适用一次光刻的产品,可制作声表面器件、可控硅、小液晶显示器、传感器、二极管、园光栅、编码盘等,按用户要求可提供圆形承片台或方形承片台,承片台都能实现“真空密着”曝光,加之光均匀性好(Φ100mm范围内≤±3%),所以大大提高光刻质量。

主要构成
主要由防震工作台、高均匀性4"蝇眼曝光头、气动系统、电气控制系统、真空管路系统、直联式真空泵及附件箱等组成。

 

主要功能特点

1.适用于5mm以下的各种基片)的一次曝光。

2.本设备配置有可实现真空硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构;具

3. 操作简便

4. 设备运行稳定、可靠

5. 特设功能

主要技术参数:

1、曝光面积:Φ4",配置4"蝇眼专用曝光头

2、实现“真空密着”曝光,(通过调整真空度能实现硬接触、软接触或微力接触曝光)。但基片厚度≤2mm。

3、曝光*小分辨率为2μm。

4、可以为用户制作具有预定位机构的专用承片台,片对版的预定位精度≤±0.1mm。

5、曝光头用灯为<span style="font-size:16px;line-height:150%;font-family:;" "="">GCQ350Z型高压水银直流汞,光强≤10mw/cm²,光的不均匀性在Φ100mm范围内≤±3%,可以通过调节曝光头光栅来改变光强。


【全文完】

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