G-31D4型高精密光刻机

产品介绍：

设备概述

本设备广泛用于各大、中、小型企业、大专院校、科研单位，它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。

主要构成

本设备为板板对准双面曝光

主要由双目视场CCD显微显示系统、二台4"LED专用曝光头、PLC电控系统、高精度对准工作台、Z轴升降机构、真空管路系统、气路系统、直联式真空泵、二级防震工作台等组成。

曝光头部件图

CCD显微系统|X、Y、Q对准工作台

主要功能特点

1.适用范围广
适用于φ100mm以下、厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光，双面可同时曝光，亦可用于单面曝光。

2.结构**
Z轴采用滚珠直进式导轨和可实现硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构，真空吸版，防粘片机构。

3.操作简便
X\Y移动、Q转、Z轴升降采用手动方式；
吸版、反吹采用按钮方式，操作、调试、维护、修理都非常简便。

 4. 可靠性高
采用进口（日本产）电磁阀、按钮、定时器；采用独特的气动系统、真空管路系统和

精密的机械零件，使本机运行具有非常高的可靠性。
5. 特设功能
除标准承片台外，还可以为用户定制专用承片台，来解决非圆形基片、碎片和底面

不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题

主要技术指标

1、曝光类型：版版对准双面曝光

2、曝光面积：110×110mm；

3、曝光照度不均匀性：≤±3%；

4、曝光强度：0～30mw/cm²可调；

5、紫外光束角：≤3°；

6、紫外光中心波长：365nm；

7、紫外光源寿命：≥2万小时；

8、工作面温度：≤30℃

9、采用电子快门；

10、曝光分辨率：1μm(曝光深度为线宽的10倍左右)

11、曝光模式：双面同时曝光

12、对准范围：X:±5mm Y:±5mm

13、套刻精度：1μm

14、旋转范围：Q向旋转调节≤±5°

15、显微系统：双视场CCD系统，物镜1.6X～10X，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；

16、掩模版尺寸：能真空吸附4"方形掩板，对版的厚度无特殊要求（1～3mm皆可）。

17、基片尺寸：适用于Φ3"mm圆形基片（或3"×3"mm方形基片），基片厚度≤5mm。