G-33D8型高精密双面光刻机

一、主要用途与特点

本设备用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产，找平机构（三点找平）极为突出，找平力极小，这带来诸多显著效果：一是在基片曝光操作上适用性广泛，各类常规基片曝光时，本机均可稳定、从容应对，保障曝光工作顺利。其次，本机应对特殊基片时表现明显，如质地易碎的砷化钾、磷化铟基片，操作时不会被损坏就可完成曝光；对非圆形基片、小型基片这种特殊的、对精度要求高的基片，本机也能..完成曝光，满足曝光需求。

二、主要性能指标

1 、曝光类型：双面对准单面曝光；

2 、曝光面积：210mmx210mm；

3 、曝光强度：≤30mw/cm²，（测量仪器：光强计；测量方法：紫外线照度计测量）；

4 、曝光照度均匀性： ≥96%  (Φ208mm范围内）；紫外光束角：≤3˚（测量仪器：光强计；测量方法：逐点检测法。）；

5 、紫外光源：LED ，紫外光中心波长：365nm，光源质保期：1 年；

6 、曝光模式：可以正反对准，正面套刻曝光；

7 、曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；

8 、曝光分辨率：≤3 μm  (Φ 208mm 范围内）；

9 、对准范围：X、Y≤±3mm，Q ≤±3 ° , X,X 方向平移精度≤1um，Q 转调节精 度≤0.5 °，对准精度：正面≤2 μm ；反面≤4 μm；

10 、载物台 x,y 平面移动精度≤1um；

11 、 对准方式：手动；

12 、接触－分离漂移：≤2 μm ；分离量；0～50μm 可调；

13 、具有三点自动找平功能，找平精度≤3um；

14 、显微系统：

1) 正面对准采用双视场 CCD 立式显微镜，总放大倍数观察系统放大倍数为： 1.6 × 57=91倍（小倍数），10×57=570倍（大倍数），连续调节。两个显微镜间距可以调节（通过模组调节）调整范围 Y： -100～-30mm ，30～100mm  X： ±100mm；显微镜 X,Y 位置通过触摸屏预先数字设置；

2) 反面对准采用双视场 CCD 卧式显微镜。总放大倍数为 57-400 倍连续变焦，显微镜调 整范围:  Y：-80～-30mm ，30～80mm  X：±3mm,Z≤3mm ，通过千分尺实现移动；

15 、配置掩模版架： 9 ″ ×9 ″；

16 、配置基片载物台： φ8 ″；

17 、配有无油静音真空泵和无油静音空压机；

18 、尺寸和重量：

尺寸：机体 1300 mm（长） ×720 mm（宽） × 1900mm（高）；

重量：≤200Kg；

19 、G-33D8 型光刻机的组成：

由主机（含机体和工作台），对准用单筒显微镜，LED 紫外曝光头组成；

20 、附件如下：

a. 主机附件：（出厂时安装到机器上）；

1) 9" □型掩版夹盘：

用于Φ8"基片的真空夹持承片台；

b. 显微镜组成：

(1)单筒显微镜二个；

(2)两个 CCD；

(3)视频连接线；

(4)计算机和19"液晶监视器；