G-33D4型高精密双面光刻机

一、设备概述：

本设备用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产，找平机构（三点找平）极为突出，找平力极小，这带来诸多显著效果：一是在基片曝光操作上适用性广泛，各类常规基片曝光时，本机均可稳定、沉稳应对，保障曝光工作顺利。其次，本机应对特殊基片时表现显著，如质地易碎的砷化钾、磷化铟基片，操作时不会被损坏就可完成曝光；对非圆形基片、小型基片这种特殊的、对精度要求高的基片，本机也能完成曝光，满足曝光需求

曝光头及部件图

CCD显微系统|X、Y、Q对准工作台

二、主要性能指标

1、曝光类型：双面对准单面曝光；

2、曝光面积：≥110×110mm；

3、曝光强度：≤30mw/cm²，（测量仪器：光强计；测量方法：紫外线照度计测量）；

4、曝光照度均匀性：≥97%；紫外光束角：≤3˚；（测量仪器：光强计；测量方法：逐点检测法）；

5、紫外光源：LED，紫外光中心波长：365nm-460nm，出厂标配365nm，可根据用户要求定制，光源质保期：1年；

6、曝光模式：可以正反对准，正面套刻曝光；

7、曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微分离曝光、底吹曝光；

8、曝光分辨率：≤1μm（所需条件见后面附件1）；

9、对准范围：X、Y±3mm、Q±3°，Q转调节精度≤0.05°，对准精度：正面≤1μm；反面≤2μm；

10、载物台x,y平面移动精度≤1μm；

11、对准方式：手动；

12、接触－分离漂移：≤1μm；分离量；0～50μm可调；

13、具有三点自动找平功能，找平精度≤3μm；

14、显微系统：

1) 正面对准采用双视场CCD立式显微镜，总放大倍数观察系统放大倍数为： 1.6×57=91 倍（小倍数），10×57=570 倍（大倍数），连续调节，双物镜可调距离40mm～110mm；

2) 反面对准采用双视场CCD卧式显微镜。总放大倍数为57-400倍连续变焦，显微镜调整范围: X,Y,Z，通过千分尺实现X,Y,Z移动；

3) 正反面CCD像素为200万倍；

15、配置掩模版架： 5″×5″（标配，可根据用户要求定制）；

16、配置基片载物台：φ4″（标配，可根据用户要求定制）；

17、配有无油静音真空泵；

18、尺寸和重量：

尺寸：机体1000 mm（长）×750 mm（宽）×1700mm（高）；

重量：≤200Kg；

19、G-33D4 型光刻机的组成：

由主机（含机体和工作台），对准用单筒显微镜，LED紫外曝光头组成；

20、附件如下：

a. 主机附件：（出厂时安装到机器上）

1) 5"□型掩版夹盘。

用于Φ4"基片的真空夹持承片台。

b. 显微镜组成：

(1) 单筒显微镜二套；

(2) 两套CCD；

(3) 视频连接线；

(4) 计算机和19"液晶监视器。