G-25型高精密光刻机
产品介绍:
设备概述:
本设备广泛应用于进行批量生产的各大、中、小型企业,它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产,由于本机找平机构**,找平力小、使本机不仅适合各型基片的曝光,而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。
主要构成
主要由高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、高均匀性曝光头、PLC电控系统、气动系统、真空管路系统、直联式真空泵、二级防震工作台和附件箱等组成。
LED曝光头及部件三点找平机构高精度X、Y、Z、Q调节机构
主要功能特点
1. 适用范围广
适用于100X100mm以下,厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2. 结构**,分辨率高
具有三点式自动找平机构和可实现真空硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构;具有真空掩膜版架、真空片吸盘,本机采用高均匀性的4寸LED专用曝光头,非常理想的三点式自动找平机构和稳定可靠的真空密着装置,使本机的曝光分辨率大为提高。
3. 套刻精度高、速度快
采用版不动片动的下置式三层导轨对准方式,使导轨自重和受力方向保持一致,自动消 除间隙;承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机构和双簧片微分离机构,使本机片对版在分离接触时漂移特小,对准精度高,对准速度快,从而提高了版的复用率和产品的成品率。
4. 可靠性高
采用进口(日本产)电磁阀、按钮、定时器;采用独特的气动系统、真空管路系统和
精密的机械零件,使本机运行具有非常高的可靠性。
5. 特设功能
除标准承片台外,还可以为用户定制专用承片台,来解决非圆形基片、碎片和底面
不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题
主要技术指标
1、曝光类型:单面;
2、曝光面积:110×110mm;
3、曝光照度不均匀性:≤±3%;
4、曝光强度:0~30mw/cm²可调;
5、紫外光束角:≤3°;
6、紫外光中心波长:365nm(也可以配专用曝光头实现g线、h线、I线的组合);
7、紫外光源寿命:≥2万小时;
8、曝光分辨率:1μm;
9、曝光模式:可选择一次曝光或套刻曝光;
10、显微镜扫描范围:X: ±15mm Y: ±15mm;
11、对准范围:X、Y粗调±3mm,细调±0.3mm;Q粗调±15°,细调±3°;
12、套刻精度:1μm;
13、分离量;0~50μm可调;
14、接触-分离漂移:≤1μm;
15、曝光方式:接触式曝光;
16、找平方式:三点式自动找平;
17、显微系统:双视场CCD系统,显微镜91X~570X连续变倍(物镜1.6X-10X连续变倍),双物镜距离可调范围50mm~100mm,计算机图像处理系统,19″液晶监视器;
18、掩模版尺寸: ≤127×127mm;
19、基片尺寸:≤Φ102mm(或者102×102mm);
20、基片厚度:≤5 mm
21、曝光定时:0~999.9秒可调;
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