G-25D4型高精密光刻机

设备概述:

本设备是我公司专门针对各大专院校及科研单位对光刻机的使用特性研发的一种精密光刻机，它 主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。

主要构成
主要由高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、LED曝光头、PLC电控系统、气动系统、真空管路系统、直联式真空泵、二级防震工作台和附件箱等组成。

1.适用范围广
适用于Φ100mm以下，厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2.结构**
具有气浮式找平机构和可实现真空硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构；具有真空掩膜版架、真空片吸盘。
3.操作简便
采用翻板方式取片、放片；按钮、按键方式操作，可实现真空吸版、吸片、吸浮球、吸扫描锁等功能，操作、调试、维护、修理 都非常简便。
4.可靠性高
采用进口电磁阀、按钮、定时器；采用独特的气动系统、真空管路系统和精密的机械零件，使本机具有非常高的可靠性。

5.特设功能
除标准承片台外，还可以为用户定制专用承片台，来解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。

主要技术指标：

1、曝光类型：单面；配置4"LED专用曝光头

2、曝光面积：110×110mm；

3、曝光照度不均匀性：≤±3%；

4、曝光强度：0～30mw/cm²可调；

5、紫外光束角：≤3°；

6、紫外光中心波长：365nm；

7、紫外光源寿命：≥2万小时；

8、采用电子快门；

9、曝光分辨率：1μm

10、显微镜扫描范围：X： ±15mm   Y：±15mm；

11、对准范围：X、Y 调节 ±4mm；Q向调节±3°；

12、套刻精度：1μm；

13、分离量；0～50μm可调；

14、曝光方式：接触式曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；

15、找平方式：气浮找平；

16、掩模版尺寸：≤127×127mm；

17、基片尺寸：≤Φ102mm(或者102×102mm)；

18、基片厚度：≤5 mm；

19、曝光定时：0～999.9秒可调；