G-26型高精密光刻机

产品介绍：

设备概述:

本设备广泛应用于进行批量生产的各大、中、小型企业，它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产,由于本机找平机构**，找平力小、使本机不仅适合各型基片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光以及非圆形基片和小型基片的曝光。

主要构成

主要由高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、高均匀性曝光头、PLC电控系统、气动系统、真空管路系统、直联式真空泵、二级防震工作台和附件箱等组成。

曝光头及部件图

主要功能特点

1. 适用范围广
适用于150X150mm以下，厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2. 结构**，分辨率高
具有三点式自动找平机构和可实现真空硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构；具有真空掩膜版架、真空片吸盘，本机采用高均匀性的6寸LED专用曝光头，非常理想的三点式自动找平机构和稳定可靠的真空密着装置，使本机的曝光分辨率大为提高。

3. 套刻精度高、速度快

采用版不动片动的下置式三层导轨对准方式，使导轨自重和受力方向保持一致，自动消 除间隙；承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机构和双簧片微分离机构，使本机片对版在分离接触时漂移特小，对准精度高，对准速度快，从而提高了版的复用率和产品的成品率。

4. 可靠性高
采用进口（日本产）电磁阀、按钮、定时器；采用独特的气动系统、真空管路系统和精密的机械零件，使本机运行具有非常高的可靠性。
 5. 特设功能
除标准承片台外，还可以为用户定制专用承片台，来解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题

主要技术指标

1、曝光类型：单面；

2、曝光面积：150×150mm；

3、曝光照度不均匀性：≤±3.5%；

4、曝光强度：0～30mw/cm²可调；

5、紫外光束角：≤3°；

6、紫外光中心波长：365nm（也可以配专用曝光头实现g线、h线、I线的组合）；

7、紫外光源寿命：≥2万小时；

8、曝光分辨率：1μm；

9、曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光；

10、显微镜扫描范围：X： ±15mm Y： ±15mm；

11、对准范围：X、Y粗调±3mm，细调±0.3mm；Q粗调±15°，细调±3°；

12、套刻精度：1μm；

13、分离量；0～50μm可调；

14、接触－分离漂移：≤1μm；

15、曝光方式：接触式曝光；

16、找平方式：三点式自动找平；

17、显微系统：双视场CCD系统，显微镜91X～570X连续变倍（物镜1.6X-10X连续变倍），双物镜距离可调范围50mm～100mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；

18、掩模版尺寸： ≤152×152mm；

19、基片尺寸：≤Φ127mm（或者127×127mm）；

20、基片厚度：≤5 mm

21、曝光定时：0～999.9秒可调；